陶瓷天线采用的材质是陶瓷，重量只有200g，它的频率范围在902MHz～928MHz之间，而且在介电损耗方面，陶瓷介质比pcb电路板的介电损失要小，所以在低耗电率的的蓝牙模块中非常适合使用。陶瓷天线的效果要强于板载天线，一般有ANT 接入脚和地脚，使用也很比较方便。

尺寸(mm)
频率(MHz)
极化
最大增益(dBic)*
带宽(MHz)
驻波比
40.0 x 40.0 x 4.0
915
圆极化
1 (typical)
26 (min.)
2.5 (max.)
36.0 x 36.0 x 6.0
1227.6
1575.42
圆极化
4.0 (typical)
5.0 (typical)
9.0 (min.)
9.0 (min.)
2.0 (max.)
36.0 x 36.0 x 6.0
1227.6
圆极化
5.0 (typical)
9.0 (min.)
2.0 (max.)
25.0 x 25.0 x 4.0
1227.6
圆极化
2.0 (typical)
6.0 (min.)
2.0 (max.)
25.0 x 25.0 x 4.0
1575.42
圆极化
5.0 (typical)
15.0 (min.)
2.0 (max.)
25.0 x 25.0 x 4.0
1575.42
1598-1606
圆极化
4.0 (typical)
4.2 (typical)
13.0 (min.)
15.0 (min.)
2.0 (max.)
25.0 x 25.0 x 4.0
1616~1626.5
圆极化
4.6 (typical)
15.0 (min.)
2.0 (max.)
25.0 x 25.0 x 2.0
1575.42
圆极化
4.5 (typical)
10.0 (min.)
2.0 (max.)

本天线是无源陶瓷天线 ，可用于接收 GPS L1和BD B1频段的右旋圆极化卫星信号，具有体积小、稳定性高等特点，适用于PND、车载导航仪、手持机等设备。

本天线是无源陶瓷天线 ，可用于接收 GPS L1和BD B1频段的右旋圆极化卫星信号，具有体积小、稳定性高等特点.
适用于PND、车载导航仪、手持机等设备。

单P沟道低压MOS场效应管
型号 沟道 VDS
(Max) VGS VTH
(Typ) ID
(Max) IDM RDS(on)
(Max) 封装 状态 直接替代型号
HM2301/A P沟道 -20V -10V -0.65V -3A -10A 65mΩ SOT23
SOT23-3L 量产 Si2301/AP2301/SI2305/XP152A/
IRLML6401/IRML6402/AO3423
HM2301B P沟道 -20V -12V -0.7V -2.8A -10A 83mΩ SOT23 量产 Si2301/AP2301/XP152A/
IRLML6402/AO3423
HM2301C P沟道 -12V -12V -0.7V -2.8A -10A 85mΩ SOT23 量产 Si2301/AP2301/XP152A/
IRLML6402/AO3423
HM2301D P沟道 -20V -6V -0.45V -0.8A -4A 350mΩ SOT23 量产 Si2301/AP2301/XP152A/
IRLML6402/AO3423
HM2301E P沟道 -12V -12V -0.7V -2A -7A 95mΩ SOT23 量产 Si2301/AP2301/XP152A/
IRLML6402/AO3423
HM2301DR P沟道 -20V -6V -0.45V -0.8A -4A 350mΩ DFN1006-3L 量产 AON1605
HM2301KR P沟道 -20V -10V -0.65V -3A -6A 65mΩ SOT-323 量产 AO7413/AO7403/AO7407
Si1317DL/Si1315DL

高压MOS场效应管
型号 沟道 VDS
(Max) VGS VTH
(Typ) ID
(Max) IDM
(MAX) RDS(on)
(Max) 封装 状态 直接替代型号
HM1N60 N沟道 600V 30V 3V 1.3A 5A 8.5Ω TO-92/SOT-89
TO-251/TO-252 量产 FQP1N60/FQN1N60/
UTC1N60/STP1N60
HM2N60 N沟道 600V 30V 3V 2A 6A 4.5Ω TO-251/TO-252/
TO-220/TO-220F 量产 FQP2N60/FQN2N60/
UTC2N60/STP2N60/2SK3067
HM4N60/B N沟道 600V 30V 3V 4A 16A 2.4Ω TO-251/TO-252/
TO-220/TO-220F 量产 FQP4N60/FQN4N60/
UTC4N60/STP4N60
HM5N60/B N沟道 600V 30V 3V 5A 20A 2.0Ω TO-251/TO-252/
TO-220/TO-220F 量产 FQP5N60/FQN5N60/
UTC5N60/STP5N60
HM7N60/B N沟道 600V 30V 3V 7A 28A 1.2Ω TO-220/TO-220F 量产 FQP7N60/FQN7N60/
UTC7N60/STP7N60
HM7N60I/K N沟道 600V 30V 3V 7A 28A 1.2Ω TO-251/TO-252 量产 FQP7N60/FQN7N60/
UTC7N60/STP7N60
HM8N60/B N沟道 600V 30V 3V 8A 32A 1.0Ω TO-220/TO-220F 量产 FQP8N60/FQN8N60/
UTC8N60/STP8N60
HM10N60/B N沟道 600V 30V 3V 9.5A 40A 0.75Ω TO-220/TO-220F 量产 FQP10N60/FQN10N60/
UTC10N60/STP10N60

P沟道中压大电流MOS
型号 沟道 VDS
(Max) VGS VTH
(Typ) ID
(Max) IDM RDS(on)
(Max) 封装 直接替代型号
HM30P02K P沟道 -20V -10V -0.8V -30A -90A 25mΩ TO-252 AOD421
HM85P02/K P沟道 -20V -12V -0.6V -85A -250A 5.8mΩ TO-220/
TO-252
HM25P03K P沟道 -30V -20V -1.5V -25A -75A 15mΩ TO-252 AOD4185/AOD4189/AOD413A
SUD25P03/EMB25P03
HM25P03Q P沟道 -30V -20V -1.5V -25A -75A 15mΩ DFN3X3-8L AON7403
HM25P03D P沟道 -30V -20V -1.5V -25A -75A 15mΩ DFN5X6-8L AON6405
HM35P03D P沟道 -30V -20V -1.75V -35A -105A 8mΩ DFN5X6-8L AON6405/AON6435/AON6413
HM35P03K P沟道 -30V -20V -1.5V -35A -115A 11.5mΩ TO-252 SUD45P03/AOD417/AOD4185
AOD4189/AOD413A/SUD35P03
EMB35P03
HM45P03K P沟道 -30V -20V -1.75V -45A -135A 8.0mΩ TO-252 AOD4185/AOD4189/AOD413A
SUD45P03/EMB45P03
HM50P03/K P沟道 -30V -20V -1.5V -50A -150A 7.5mΩ TO-220
TO-252 AOD4185/AOD4189/AOD413A
SUD50P03/EMB50P03

内置MOS DC-DC 升压IC
型号 工作模式 工作
电压范围 输出电压 输出电
压形式 输出电
压精度 内置MOS
最大输
出电流 效率 静态
电流 工作频率 封装 直接替代型号
HMXX1C PFM 0.8V-Vout 2.2/2.7/2.8
3.0/3.3/3.6
4.0/4.2/4.5
5.0/5.6V 固定输出 ±2% 500mA 85% 4uA 350KHz SOT-89
SOT23-3L
TO-92 XC6382/XC6371/
RT9261B/HT77XX/
BL8530/AIC1642/
S8351
HM1546
P502MR PWM 0.9V-5.5V 5V 固定输出 ±2% 2.5A 90% 21uA 1MHz SOT-26 5V/1A
Cost down版本
HM1308 PWM 2.7V-5.5V 最大22V 可调输出 ±2% 300mA 88% 90uA 1MHz SOT-25 LCD偏压/OLED升压
Cost down版本
HM1538 PWM
PFM 2.5V-6.0V 最大28V 可调输出 ±2% 1.5A 90% 1uA 1.2MHz SOT-25 AT1308/G5103
MP1540/RT9284A
ACT6311/AP3012
HM1548 PWM
PFM 2.5V-6.0V 最大12V 可调输出 ±2% 3.5A 95% 1uA 1.2MHz SOT-26 SY7208/SY7152/
LTC3426/TPS6107X
HM1548B PWM
PFM 2.0V-24V 最大28V 可调输出 ±2% 4A 97% 0.1uA 1.2MHz SOT-26 SY7208/SY7152/
LTC3426/TPS6107X

耐高压 LDO IC
型号 最大输
出电流 输入电压 输出电压 精度 功耗 纹波
(1KHZ) 负载
稳定率 线性
稳定率 封装 替代型号
HM75XX 150mA 18V 2.8/3.0/3.3/
3.6/4.0/4.4/5.0V ±3% 2uA 50dB 60mV 0.2% SOT-89/SOT-23
TO-92 HT75XX/HT71XX
HT10XX
HM75XXH 150mA 30V 3.0/3.3/3.6/
4.0/4.4/5.0V ±2% 2uA 50dB 60mV 0.2% SOT-89/SOT-23-3L HT75XX/HT71XX
HT10XX
HM75XXHB 100mA 40V 3.0/3.3/5.0V ±2% 2.5uA 60mV 0.2% SOT-89 HT75XX/HT71XX
HT71XX
HM73XX 300mA 18V 1.5/1.8/2.5/2.7/2.8/3.0
3.3/3.6/4.0/4.4/5.0V ±3% 2uA 50dB 45mV 0.2% SOT-89/SOT-23-3L
TO-92 HT73XX/HT75XX
HT71XX
HM73XXH 300mA 24V 3.0/3.3/5.0V ±2% 2uA 50dB 45mV 0.2% SOT-89 HT73XX/HT75XX
HT71XX
HM78XX 500mA 18V 1.8/2.5/2.7/2.8/3.0/
3.3/3.6/5.0V ±2% 1uA 12mV 0.05% SOT-89/SOT-23-3L HT78XX
HX53XX 500mA 12V 1.2/1.5/1.8/2.1/2.5/
2.7/2.8/3.0/3.3/3.6/
3.9/4.4/5.0V ±2% 1.2uA 30mA 0.05% SOT-89/SOT23-3L
TO-92 HT78XX
HM53XXB 250mA 40V 3.0/3.3/3.6/5.0V ±2% 1.6uA 20mV 0.2% SOT-89/SOT-23/
SOT-23-3L/TO-92
HM6203 100mA 40V 3.0/3.3/3.6/5.0V ±2% 3uA 30mV 0.04% SOT-89/SOT-23-3L
TO-92
HM6201 250mA 15V 3.0/3.3/4.5/5.0V ±2% 2uA 12mV 0.05% SOT89/TO-92 XC6201

陶瓷产品生产中需要精确有效的温度测量,但多数测量在时间和空间上均受到限制.例如,热电偶并不能测量产品本身的温度,而是产品的环境温度.此外,它只能测辐射热,而不涉及来自窑具的传导热.PTCR高精度陶瓷烧成温度指示器,用来记录烧成品的真实烧制过程(包括辐射热和传导热),适用于非连续窑和连续隧道窑,还适用于氧、氮、空气、真空和还原等气氛。
一、测温环功能
电子陶瓷产品的性能除了决定于配方之外，烧成工艺是最关键的，而陶瓷烧成的综合热效应大致包括：烧成温度、保温时间和窑炉气氛。工业产品生产和实际研究中需要用到各式各样的窑炉，如箱式炉、管式炉、立式窑、隧道窑、钟罩窑、辊道窑等。电子陶瓷、磁性材料以及粉末冶金热处理等都需要精确有效的温度控制。但多数测温手段（如热电偶、火锥、光度计等）在时间和空间上均受到一定限制，在实际使用中只能测量产品的环境温度，而难以测量来自不同方位的传导热和辐射热以及不同保温时间产品本身的累积热效应。实际上陶瓷产品生产中的综合热效应会直接影响产品的烧成质量。采用测温环不但可以解决时间和空间的限制，而且能同时测量窑炉的辐射热和传导热以及产品整个烧制过程的综合热效应。

LM2596/LM2596HV是一款150KHz固定频率的PWM DCDC稳压电源换器。它具有3A输出电流驱劝能力,高效率、低纹波、高线性调整率等特点。该芯片采用PWM调制模式，能够调节占空比线性范围0~100%。LM2596/LM2596HV 内置固定频率振荡器和频率补偿块，其使用十分简单，仅需要极少量的外部元器件。此外，该芯片还内置带迟滞功能的使能、过温保护、过流保护和剌激过流保护等功能。当次级过流保护发生时，芯片内置降频功能使用工作频率由150KHz 降到了50KHz。
特点
◆ 输入电压范围4.5V到40V,HV型号的60V
◆ 稳压输出有3.3V、5V、12V、和输出可调世版本,输出可调节版本调节范围为1.23V到37V、HV型号57V
◆ 占空比可调节范围0~100%
◆ 最小饱和压降1.5V
◆ 150KHz固定工作频率
◆ ON_OFF迟滞开关功能
◆ 内置过温保护、过流保护
◆ 内置频率补偿功能
◆ 高工作效率、线性调整率和负载调整率
应用
◆ 液晶显示器,液晶电视
◆ 数码相框
◆ 电视机顶盒
◆ 调制解调器
◆ 各种电话、网络设备